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厂商型号

PN2222TFR 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor General Purpose

内部编号

3-PN2222TFR

#1

数量:32000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
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PN2222TFR产品详细规格

规格书 PN2222TFR datasheet 规格书
PN2222
文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大 625mW
频率转换 300MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 50mA, 500mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 TO-92-3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 10V
集电极电流(DC ) 0.6 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率 300 MHz
功率耗散 0.625 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
引脚数 3
元件数 1
直流电流增益 35
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN

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